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三菱電機開始提供“高頻用混合SiC功率半導體模塊”樣品

日期:2025-06-30 23:33
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摘要: 三菱電機開始提供“高頻用混合SiC功率半導體模塊”樣品 2014-05-15 三菱電機株式會社 有助于實現電力電子裝置的高效化、小型化和輕量化 “高頻用混合SiC功率半導體模塊”開始提供樣品 三菱電機株式會社將于5月15日開始提供高頻用混合SiC功率半導體樣品,該功率半導體的二極管部分采用SiC※1的材料。通過采用碳化硅(SiC)技術,對于使用電力逆變器如不間斷供電電源(UPS)、醫療器械專用電源、太陽能逆變器等電力電子裝置而言,將更有助于其實現高效化、小型化和輕量化。 此外,高頻用混合SiC功率半...

三菱電機開始提供“高頻用混合SiC功率半導體模塊”樣品


2014-05-15
三菱電機株式會社

有助于實現電力電子裝置的高效化、小型化和輕量化
“高頻用混合SiC功率半導體模塊”開始提供樣品

三菱電機株式會社將于5月15日開始提供高頻用混合SiC功率半導體樣品,該功率半導體的二極管部分采用SiC※1的材料。通過采用碳化硅(SiC)技術,對于使用電力逆變器如不間斷供電電源(UPS)、醫療器械專用電源、太陽能逆變器等電力電子裝置而言,將更有助于其實現高效化、小型化和輕量化。

此外,高頻用混合SiC功率半導體模塊將在“PCIM※2 Europe2014展”(5月20?22日于德國紐倫堡舉行)上展出。

※1  SiliconCarbide:碳化硅
※2  PCIM:Power Conversion Intelligent Motion
CMH100DY-24NFH
CMH150DY-24NFH
CMH 200DU-24NFH
CMH300DU-24NFH
CMH 400DU-24NFH
CMH 600DU-24NFH
高頻用混合SiC功率半導體模塊
新產品的特點
1.損耗減少約40%,有助于實現裝置的高效化、小型化和輕量化
?采用SiC-SBD※3用于二極管、高頻開關Si-IGBT用于晶體管的混合型結構。
?SiC-SBD由于不會產生反向恢復電流,可使開關的損耗大幅降低,損耗降低約40%,因而有助于實現裝置的高效化。
?由于損耗大幅減少,將有利于散熱裝置的進一步小型化、輕量化,而功率器件的高頻化則有助于實現電抗器等配件的小型化和輕量化。
※3   SchottkyBarrierDiode:肖特基勢壘二極管
2.內部寄生電感降低,可有效抑制浪涌電壓
?采用適用高速開關的低電感封裝。
?100A、150A產品與以往產品※4相比,內部寄生電感約降低30%。
※4   采用硅(Si) 的高頻用IGBT模塊“NFH系列”
3.與以往產品封裝保持一致,方便用戶替換
?確保了與以往產品※4的封裝一致性,因而可以直接替換。
※4   采用硅(Si) 的高頻用IGBT模塊“NFH系列”
新產品的概要
產品名 型號 概要 樣品出廠日期
高頻用混合SiC
功率半導體模塊
CMH100DY-24NFH 1200V/100A2in1 5月15日
CMH150DY-24NFH 1200V/150A2in1
CMH200DU-24NFH 1200V/200A2in1
CMH300DU-24NFH 1200V/300A2in1
CMH400DU-24NFH 1200V/400A2in1
CMH600DU-24NFH 1200V/600A2in1
提供樣品的目的

近年來,從有效利用能源的觀點出發,使用碳化硅(SiC)的功率半導體可以大幅降低功率損耗并可實現功率器件高速開關,因而用戶對它的期盼日益迫切。此前,針對不間斷供電電源裝置(UPS)、醫療器械專用電源等需要進行高頻開關操作的電力電子裝置,本公司已經提供了開關特性*優化的功率半導體模塊“NFH系列”。

現在,通過進一步的研制開發,三菱電機開始提供高頻用混合型碳化硅(SiC)模塊的樣品,該模塊作為“NFH系列”的新陣容,通過采用SiC-SBD,可以大幅降低功率損耗。

高頻用混合SiC功率半導體模塊使用“New Energy and Industrial Technology Development Organization (NEDO)”開發技術的一部分。

主要規格
用途 型號 額定電壓 額定電流 電路結構 封裝尺寸
(W)×(D)
工業設備 CMH100DY-24NFH 1200V 100A 2in1 48×94mm
CMH150DY-24NFH 150A
CMH200DU-24NFH 200A 62×108mm
CMH300DU-24NFH 300A
CMH400DU-24NFH 400A 80×110mm
CMH600DU-24NFH 600A
環保考慮

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